半天之后。

陈普之终于从机动的情绪之中冷静了下下来。

看了看上面的技术。

才开口道。

“这就是最新的EUV光刻吧。”

“没错。”

韩枫笑了笑。

EUV光刻，也就是极紫外线光刻。

是世界上最先进的光刻机光刻技术。

在这之前。

世界上只有的ASML掌握了这种技术。

还只在实验的之中。

现在不一样了。

韩枫同样有了这种技术。

而且精度的比风车国ASML的精度，高上一个数量级。

就是这么点差距。

恐怕ASML用几十年才能突破。

越是精密的设备。

制造难度越高。

精密程度到了一定程度。

制造难度将呈几何数量级的提高。

ASML想要追上来。

做梦去吧。

更不用说。

等到他们研究出来。

韩枫自然有新技术等着他们。

不过目前。

这种技术够用了。

底牌要一张一张拿出来。

才能让敌人绝望。

“我来给您介绍一下EUV吧。”

韩枫说了一句，介绍道。

“EUV光刻的机制和以前的光刻不同。”

“EUV多层和紫色吸收体，构成用于成像线的掩膜图案。”

“底部从掩膜图案反射的红色EUV辐射。”

“在黄色抗蚀剂和棕色基板中被吸收。”

“产生光电子和蓝色的二次电子。”

“这些电子增加了抗蚀剂中化学的反应程度。”

看了一眼后面开始拿平板记录的研究员。

他再次开口道。

“本质上，随机的二次电子叠加在光学图像上。”

“不需要的二次电子曝光导致分辨率损失。”

“可观察到的线边缘粗糙度和线宽变化。”

“EUV光刻和传统的紫外线光刻，最大的不同。”

“其实就是EUV并不是由激光器激发。”

“而是由准分子激光激发的锡或氙等离子体发射。”

“在生产里面，可能能达10NM特征尺度。”

听到这后面的人都有些吃惊。

光是一个光源刻度的改变。

竟然的能把的尺度降低到这种程度。

实在是太可怕了。

“我记得的ASML已经有EUV量产样机了吧。”

陈普之想了想开口说到。

“没错。”

|“15年的时候，ASML就发布了ETX系统的样机。”

“也是世界上首个用极紫外光刻的生产平台。”

“可提供22NM的分辨率的传统光刻和18NM的离轴光刻。”

“ETX步进扫描系统。”

“更使采用了13,5NMEUV光刻，由锡基等离子源产生。”

“如果我没记错的话。”

“该系统采用的卡尔蔡司SMT全反射4倍光学变焦镜头组件。”

“数值孔径为0.33，最大曝光范围是26X33NM。”

听到这个，陈普之嘴角抽了抽。

光是这个镜头。

星汉就制造不出来。

别小看一个小小的光学镜头。

光是这个镜头的单价就在几万美元和几十万美元不等。

光学仪器一旦沾上了高精密三个字。

那价格和制造难度是转着翻的往上涨。

星汉共和国根本早不出这种级别的镜头。

只能从外面购买。

这也是的限制国产光刻机研发的重要原因。

像是步进系统使用的电机。

这是负责系统扫描探头在光刻机内部运动的。

好像看起来非常简单。

但是。

国外产的电机。

无论是稳定性，还是噪音印制，还是减震性能。

都比国内好的不是一点半点。

国内电机根本办法满足步进系统匀速的运动的标准。

他们只能花大价钱购买国外的。

但这样一来。

他们就违背了研究光刻机的初衷。

星汉共和国并不是没有能用的光刻机。

而是缺少自己制造光刻机的能力。

一旦国外卡我们的脖子。

国产半导体工业，可能就会一蹶不振。

因此。

他们一直在进行光刻机的国产化。

不仅仅是要制造一个光刻机。
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